为了弥补存储芯片降价周期带来的影响，三星早就开始强化代工业务了，要赶超台积电，而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说，他们今年下半年会量产7nm EUV工艺，2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。

Tomshardware网站报道，三星晶圆代工业务市场副总Ryan Sanghyun Lee表示三星从2002年以来一直在开发GAA（ Gate-All-Around）技术，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能。

根据他的消息，三星将在2021年量产3nm GAA工艺。

去年底，三星宣布将在2020年使用4nm GAA工艺。业内观察人士，如Garner副总裁Samuel Wang对2022年之前量产GAA技术表示怀疑，不过他现在也说三星看起来可能比预期更早地将GAA芯片投入生产。

只不过三星关于3nm GAA工艺何时量产的说法似乎并没有一个统一的表态，三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung去年12月在IEDM会议上表示三星已经完成了3nm工艺技术的性能验证，并且在进一步完善该工艺，目标是在2020年大规模量产。

3nm GAA工艺不论是在2020年还是2021年量产，现在都还有点远，三星今年主推的是7nm EUV工艺，预计今年下半年量产——尽管三星去年就宣布7nm EUV工艺能够量产了，实际上之前所说的量产只是风险试产，远没有达到 规模量产的底部，今年底量产才是有可能的。

在7nm EUV工艺上，台积电之前也宣布今年量产，看起来三星的进度优势也没有了，不过三星在7nm EUV工艺上有自己开发的光罩检查工具，而其他家还没有类似的商业工具。