17 日，高通公司宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级处理器 Snapdragon 骁龙 835，据称 835 将采用三星最先进的 10nm 制程。另外，高通表示 835 将支持最新的快充技术 Quick Charge 4.0。

　　由于采用全新的 10 纳米制程，高通方面表示，骁龙 835 处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的使用者体验。

　　据了解，今年 10 月份，三星就率先公布了 10 纳米制程的量产，与上代 14 纳米制程相比，10 纳米可以减少 30% 的芯片尺寸，同时提升 27% 的性能以及降低 40% 的功耗。

　　借助 10 纳米制程，高通骁龙 835 处理器具备更小的 SoC 尺寸，让 OEM 厂商可以进一步最佳化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等。此外，制程的提升也会改善电池续航能力。

　　目前骁龙 835 已经投入生产，预计搭载骁龙 835 处理器的设备将会在 2017 年上半年陆续出货。

　　除了骁龙 835 处理器之外，高通还正式发布了全新的 Quick Charge 4.0 快充技术。

　　QC 4.0 将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率，官方称充电 5 分钟可以延长手机使用时长 5 小时，充电效率比之前增加 30%。此外 QC 4.0 还集成了对 USB-C 和 USB-PD（Power Delivery）的支持，相容范围更广泛。

　　USB-PD 是 Google 最新在 Android 相容性定义档案（Android Compatibility Definition Document）中加入的条目，Google 强烈建议制造商不要使用 Quick Charge 这样非标准性的 USB-C 充电方案，而是遵循 USB-PD 的技术规格。不过，随着最新的 QC4.0 已经支持 USB-PD，Google 所说的“非标准充电”也就不再有效。

　　值得一提的是，高通还强调 QC 4.0 使用了智能协商最佳电压（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）演算法和热管理技术。该技术的最大特点在于，透过智能管理设备的充电电量，能有效防止过热问题，进而大大减少充电时爆炸的风险。

　　高通表示，所有使用 Snapdragon 835 的手机将获得三级电流和四级电压保护，以防止过热。另外，和上一代技术相比，Quick Charge 4.0 也将让手机温度降低摄氏 5 度。

　　业内人士猜测，此次高通与三星合作研发，很可能意味着三星下一代旗舰机型 Galaxy S8 将首发骁龙 835，而更重要的是，使用了 QC 4.0 的 S8 将比 Note 7 更安全。

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