今天，高通官方宣布，将使用三星的10nm FinFET打造自家的新旗舰处理器：
骁龙835
高通表示，与上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
因此，通过10nm工艺加持，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，在一定程度上能够方便手机厂商节省机身内部空间，获得更合理的主板布局方式。
目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。
此外，高通宣布骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。
但遗憾的是，高通目前并没有公布骁龙835的具体规格。
在宣布骁龙835之后，高通官方又宣布了新一代快速充电技术骁龙QC 4.0。
按照高通的说法，QC 4.0加入了Dual Charge技术，相比QC 3.0来说，充电速度可提升20%，效率则能提升30%。同时，QC 4.0还加入了对USB Type-C和USB-PD的支持。
高通产品管理高级副总裁Alex Katouzian表示，QC 4.0能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。
此外，QC 4.0还加入了最佳电压智能协商电源管理算法（INOV），将能够在既定的散热条件下，自主确定并选择最佳的电力传输水平，从而优化充电。
另一方面，QC 4.0能在更准确地测量电压、电流和温度的同时，保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电，并在每个充电周期调节电流。
我才625，你已经835了
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