【Technews科技新报】TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 表示，受惠于全球智能手机出货成长，及内存搭载量不断攀升，第二季开始 DRAM 原厂逐步降低标准型内存的产出，转为移动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下，第三季开始标准型内存价格呈上涨走势，同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球 DRAM 总体营收较上季大幅成长约 15.8%。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，第三季适逢苹果 iPhone 7 与三星 Note 7 二大旗舰机备货潮，虽然 Note 7 后来于第四季停产，但第三季的备货仍有助内存消化量与价格的上扬，标准型内存也因出货比预期更佳，加上笔电搭载高容量 8GB 内存比重亦持续增加，更让第四季标准型内存合约价季涨幅逾 30%。
三大 DRAM 厂营收激增，美光转亏为盈
三星依然稳坐 DRAM 产业龙头，营收季成长约 22.4%，成长幅度远超过市占第二的 SK 海力士，两大韩厂的市占各为 50.2% 以及 24.8%，合计两家韩厂已囊括 DRAM 75% 的市占率。美光集团仍位居第三，营收季增 12.6%，市占 18.5%。
营业获利部分，三星仍是 DRAM 产业冠军，第三季营业获利率维持在 37%，SK 海力士由 18% 上升至 25%，而美光则是转亏为盈，从 -0.6% 转为 2.3%。吴雅婷表示，展望第四季，由于 DRAM 价格持续攀升，可以肯定各厂获利仍将进一步成长。
力晶科技季营收大幅衰退 31.1%
由技术面观察，三星已在 20 纳米制程上取得领先，成本为三大 DRAM 厂中最低，新厂 Line 17 的 18 纳米制程也从下半年起开始生产。吴雅婷指出，由于三星目标以获利为重，对于 18 纳米是否继续大规模扩产仍在谨慎规划中。
第三季 SK 海力士的 21 纳米制程产出不如预期，导致产业供给吃紧，目前 SK 海力士仍将着重于 21 纳米的良率提升，并规划 2017 下半年进入 18 纳米试产阶段，持续制程转进。
美光在华亚科于今年 9 月正式 100% 转进 20 纳米制程下，20 纳米制程也正式成为美光的主力制程技术，美光后续也计划明、后年陆续导入 18／16 纳米量产。
中国台湾厂商部分，南亚科受惠于第三季标准型内存价格持续上涨，加上客户陆续追加订单，第三季营收较第二季成长 16.7%，但随着新工厂 Fab 3A North 完工，明年上半年将导入 20 纳米制程，届时成本有望进一步降低。
力晶科技 DRAM 营收大幅下滑 31.1%，受到第二季价格不好影响，力晶减少第三季标准型内存的产出，导致营收大幅下滑，随着第四季 DRAM 价格大涨，力晶 DRAM 投片又开始恢复之前水准，可预期营收将回复成长。
华邦电子第三季营收小幅成长 7%，除 46 纳米比重持续提升外，38 纳米制程预估最快于第四季正式少量投片生产，此外，由于利基型内存第四季起涨价，亦将反映在第四季的营收表现上。
如需获取更多资讯，请关注微信公众账号：Technews科技新报
延伸阅读：
（首图来源：shutterstock）
