【搜狐数码消息】2012年12月24日消息，在确认将会在明年扩展芯片制造设备规模之后，三星公司又发布了该公司第一款14nm FinFET（鳍式场效晶体管）测试芯片。

　　这款芯片采用了全新的设计（同英特尔Ivy Bridge硬件设备上的Tri-Gate设计也不同）。同原有的设计相比，新的设计方案不但能更节能，而且可带来较大的性能提升。电流泄露情况也将有显著改善。（康平）